新星漂移高清资源

另一方面，针对快速充电桩高效率、高功率密度的电力电子和非常高的功率密度的设计目标，第三代半导体（包括SiC、GaN等）成为市场上冉冉升起的新星，是实现碳达峰、碳中和的重要的半导体技术。相比此前两代，具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能，因此可以减少系统散热成本及无源器件尺寸，可以提供更高能效或更高功率密度，并且降低系统总成本。